集成电路制程工艺

显影、曝光、清洗漏出氮化硅表面

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刻蚀掉裸露的氮化硅然后去除光刻胶

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放回氧化炉中氧化（二氧化硅的绝缘层（场氧化物）将于已被刻蚀的氮化物一起生长）

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去除剩余氮化物层

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硼离子注入晶片（通过薄的外层穿透硅衬底）

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去除被破坏的薄氧化物

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沉积多晶硅形成栅电极

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涂光刻胶并进行刻蚀

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掺杂磷（N沟道）形成源极和漏极区

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去除光刻胶在重新上一层并进行硼掺杂（P沟道）

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进入回流炉，高温使离子注入产生的缺陷被修复

沉积厚的绝缘玻璃层

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化学机械抛光

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加工二氧化硅接触孔

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金属过孔填充（钨）并刻蚀掉多余的钨

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沉积铝硅线，成为第一层电路布线，刻蚀布局第一层线路

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多层布线（沉积二氧化硅绝缘，布下一层线路）

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所有金属线布局完成后，沉积氮化硅保护铝线

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刻蚀，清除顶部链接路径的氮化物

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黄色 粉色:二氧化硅 绿色:氮化硅 红色:光刻胶 衬底绿色+蓝色:硼掺杂 黑色:多晶硅 衬底蓝色:磷 衬底黄色:硼 大理石:钨